Транзистор N-MOSFET ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOD3N60, 600В, 1,6А, TO252 (50 шт.)

Транзистор N-MOSFET ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOD3N60 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения.## Комплектация

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
• Напряжение сток-исток: 600 В
• Ток стока: 1,6 А
• Мощность рассеивания: 56,8 Вт
• Корпус: TO252, монтаж SMD
• Количество в комплекте: 50 шт.

Электрические параметры и мощность

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 600 В и максимальный ток стока 1,6 А. Мощность рассеивания составляет 56,8 Вт, а допустимое напряжение между затвором и истоком — ±30 В. Сопротивление в состоянии проводимости равно 3,5 Ом, что определяет тепловые потери при работе. Униполярная структура обеспечивает простоту управления и предсказуемое поведение в схемах.

Корпус и монтаж

Прибор выполнен в корпусе TO252, что обеспечивает компактность и удобство автоматизированного монтажа на печатных платах. Тип монтажа SMD позволяет использовать компонент в современных электронных устройствах с высокой плотностью размещения элементов. Корпус TO252 сочетает малые габариты с достаточной площадью для отвода тепла от кристалла.

Заряд затвора и управление

Заряд затвора составляет 9,9 нКл, что влияет на скорость переключения транзистора и требования к драйверу управления. Этот параметр важен для устройств, где требуется эффективное переключение при высоких напряжениях. Тип канала — обогащенный, что означает отсутствие тока утечки при нулевом напряжении на затворе.