Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2V7002LT1G, 60В, 0,115А, SOT23, набор 80 шт.
2 080 ₴
- В наличии
- Код: TM034702
Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2V7002LT1G, 60В, 0,115А, SOT23, набор 80 шт.В наличии
2 080 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2V7002LT1G — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD). Устройство рассчитано на напряжение сток-исток 60 В и ток стока 0,115 А.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 60 В
- Ток стока: 0,115 А
- Мощность рассеивания: 0,225 Вт
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Набор: 80 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 60 В и допустимый ток стока 0,115 А. Мощность рассеивания составляет 0,225 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 7,5 Ом. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В, что определяет безопасные режимы управления затвором.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в стандартном корпусе SOT23, предназначенном для технологии поверхностного монтажа (SMD).
Комплектация
Товар поставляется набором из 80 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.225 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.115 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 7500 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 80 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Информация для заказа
- Цена: 2 080 ₴