Транзистор P-MOSFET Toshiba 2SJ168(TE85L,F), корпус SC59, SMD, набор 30 шт.
2 090 ₴
- В наличии
- Код: TM034699
Транзистор P-MOSFET Toshiba 2SJ168(TE85L,F), корпус SC59, SMD, набор 30 шт.В наличии
2 090 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
P-канальный полевой транзистор Toshiba 2SJ168(TE85L,F) в компактном корпусе SC59 для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 30 единиц.
- Тип: P-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: -60 В
- Ток стока: -200 мА
- Мощность рассеивания: 200 мВт
- Корпус: SC59, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 30 шт.
Технические параметры
Транзистор является униполярным P-MOSFET с каналом обогащения. Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет -60 В, а допустимый ток стока — -200 мА. Мощность рассеивания ограничена 200 мВт (0,2 Вт).
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SC59. Технология монтажа SMD. Сопротивление в состоянии проводимости (Rds(on)) составляет 2 Ом. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Toshiba |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.2 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 2000 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SC59 |
Информация для заказа
- Цена: 2 090 ₴