Транзистор ONSEMI 2SA2016-TD-E, PNP, 50 В, 7 А, SOT89, набор 20 шт.
2 040 ₴
- В наличии
- Код: TM070479
Транзистор ONSEMI 2SA2016-TD-E, PNP, 50 В, 7 А, SOT89, набор 20 шт.В наличии
2 040 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор ONSEMI 2SA2016-TD-E — это биполярный полупроводниковый прибор структуры PNP в корпусе SOT89. Комплект состоит из 20 единиц, предназначенных для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип транзистора: PNP, биполярный
- Напряжение коллектор-эмиттер: 50 В
- Ток коллектора: 7 А
- Мощность рассеивания: 1,3 Вт
- Корпус: SOT89, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 50 В и ток коллектора 7 А. Мощность рассеивания составляет 1,3 Вт. Коэффициент усиления по току (hFE) находится в диапазоне 200...560.
Корпус и монтаж
Прибор выполнен в компактном корпусе SOT89, что обеспечивает удобство автоматизированного поверхностного монтажа (SMD). Максимальная рабочая частота транзистора составляет 290 МГц.
Транзистор ONSEMI 2SA2016-TD-E подходит для инженеров и радиолюбителей, которые нуждаются в надежных компонентах для сборки электронных схем с заданными параметрами тока и напряжения.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.3 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 50 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 7 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Граничная частота передачи | 290 МГц |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SOT89 |
Информация для заказа
- Цена: 2 040 ₴