Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2N7002WT1G, 60 В, 0,34 А, SOT323 (набор 150 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2N7002WT1G — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Товар поставляется в комплекте из 150 штук в корпусе SC70/SOT323.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Напряжение сток-исток: 60 В
• Ток стока: 0,34 А
• Рассеиваемая мощность: 0,33 Вт
• Корпус: SC70, SOT323 (монтаж SMD)
• Количество в комплекте: 150 шт.

Электрические параметры и корпус

Транзистор работает с напряжением сток-исток до 60 В и выдерживает ток стока 0,34 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 0,33 Вт, а допустимое напряжение между затвором и истоком — ±20 В. Сопротивление в состоянии проводности равно 1,19 Ом.

Компонент выполнен в компактном корпусе SC70 (SOT323) для поверхностного монтажа (SMD). Заряд затвора составляет 0,7 нКл.