Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated 2N7002Q-7-F, SOT23, 60В, 0,105А (70 шт.)

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated 2N7002Q-7-F — это униполярный полевой транзистор с изолированным затвором в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 70 единиц.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Напряжение сток-исток: 60 В
• Ток стока: 0,105 А (постоянный), 0,8 А (импульсный)
• Рассеиваемая мощность: 0,37 Вт
• Комплектация: 70 шт.
• Особенность: версия ESD (защита от электростатического разряда)

Технические параметры и защита

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 60 В и постоянный ток стока 0,105 А. Версия ESD предусматривает встроенную защиту от электростатического разряда.

Электрические характеристики

Прибор является униполярным транзистором с каналом обогащения типа N-MOSFET. Максимальный импульсный ток стока составляет 0,8 А, а рассеиваемая мощность — 0,37 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 7,5 Ом. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В. Компонент предназначен для использования в автомобильной промышленности.