Транзистор N-MOSFET Nexperia 2N7002PW,115, 60В, 0,24А, SOT323 (набор 150 шт.)

N-MOSFET транзистор Nexperia 2N7002PW,115 — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Он обеспечивает коммутацию тока до 0,24 А при напряжении 60 В, что делает его пригодным для низковольтных схем управления.

• Тип: N-MOSFET с каналом обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
• Ток стока: 0,24 А (импульсный до 1,2 А)
• Корпус: SC70 / SOT323 для SMD монтажа
• Сопротивление в открытом состоянии: 1,6 Ом
• Количество в наборе: 150 шт.

Эффективная коммутация и низкие потери

Благодаря технологии Trench транзистор имеет низкое сопротивление в открытом состоянии 1,6 Ом, что снижает нагрев при работе. Он выдерживает постоянный ток стока 0,24 А и импульсный до 1,2 А, обеспечивая стабильную работу в динамических режимах. Максимальная рассеиваемая мощность 0,26 Вт позволяет использовать компонент в компактных схемах без дополнительного охлаждения.

Компактный корпус SOT323 для автоматизированного монтажа

Компонент выполнен в корпусе SC70 (SOT323), который является стандартом для поверхностного монтажа (SMD). Это позволяет размещать транзистор на плотно смонтированных печатных платах, экономя место. Такой формат идеально подходит для автоматизированных линий производства, где важны скорость и точность установки.

Удобная фасовка для серийного производства

Транзисторы поставляются набором из 150 штук, что упрощает планирование закупок для производства небольших серий. Такое количество позволяет обеспечить запас компонентов для многих устройств одновременно, минимизируя риск простоя из-за отсутствия деталей.## Стабильная работа в низковольтных схемахТранзистор работает при напряжении сток-исток до 60 В, что делает его универсальным для большинства низковольтных применений. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В, поэтому при управлении логическими сигналами важно соблюдать этот диапазон для предотвращения пробоя изолятора. Заряд затвора составляет 0,8 нКл, что обеспечивает быстрое переключение состояний.