Транзистор N-MOSFET Nexperia 2N7002NXBKR, 60 В, 0,17 А, SOT23, 300 шт.

Транзистор N-MOSFET Nexperia 2N7002NXBKR — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для коммутационных задач в электронных устройствах.## Комплектация и применение

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
• Постоянный ток стока: 0,17 А, импульсный: 0,9 А
• Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
• Технология: Trench, версия ESD
• Количество в комплекте: 300 шт.

Технические характеристики

Транзистор работает с напряжением сток-исток до 60 В и постоянным током стока 0,17 А. Импульсный ток стока может достигать 0,9 А, что позволяет использовать компонент в схемах с кратковременными пиковыми нагрузками. Сопротивление в открытом состоянии составляет 5,7 Ом, что минимизирует потери мощности при коммутации.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в поверхностном корпусе SOT23 (TO236AB), что обеспечивает компактное расположение на плате. Технология Trench позволяет получить низкое сопротивление канала при малых размерах чипа. Версия ESD повышает устойчивость к электростатическим разрядам во время монтажа и эксплуатации.

Электрические параметры затвора и мощность

Напряжение затвор-исток составляет ±20 В, что определяет допустимые режимы управления каналом. Заряд затвора равен 1 нКл, что влияет на скорость переключения и нагрузку на драйвер. Рассеиваемая мощность ограничена 0,31 Вт, поэтому компонент требует надлежащего теплового режима на плате.