Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2N7002K, SOT23, 60 В, 270 мА, комплект 80 шт.
1 960 ₴
- В наличии
- Код: TM070456
Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2N7002K, SOT23, 60 В, 270 мА, комплект 80 шт.В наличии
1 960 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Комплект из 80 транзисторов ONSEMI 2N7002K типа N-MOSFET в корпусе SOT23. Предназначены для поверхностного монтажа (SMD) и имеют защиту от электростатического разряда (ESD).
- Тип: N-MOSFET, обогащенный канал
- Напряжение сток-исток: 60 В
- Ток стока: 270 мА (до 5 А в импульсе)
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Защита ESD
- Количество в комплекте: 80 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением сток-исток до 60 В и током стока 270 мА. В импульсном режиме допустимый ток достигает 5 А, а максимальная рассеиваемая мощность составляет 0,42 Вт. Сопротивление в состоянии проводимости равно 1,6 Ом.
Корпус и монтаж
Компоненты выполнены в стандартном корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD). Версия ESD.
Комплектация
В набор поставляется 80 единиц транзисторов 2N7002K. Полярность транзистора — униполярная, а тип канала — обогащенный. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В, а заряд затвора — 0,7 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.42 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.27 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1600 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Количество в комплекте | 80 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Информация для заказа
- Цена: 1 960 ₴