Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated 2N7002H-7, SOT23, 60В, 0,21А (90 шт.)

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated 2N7002H-7 — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе SOT23. Комплект состоит из 90 единиц.

• Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
• Корпус SOT23 для поверхностного монтажа (SMD)
• Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
• Ток стока: 0,21 А
• Мощность рассеивания: 0,37 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 7,5 Ом
• Количество в комплекте: 90 шт.

Электрические параметры

Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 60 В, а постоянный ток стока — 0,21 А. Мощность рассеивания ограничена значением 0,37 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента. Сопротивление в открытом состоянии равно 7,5 Ом.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в стандартном корпусе SOT23, что позволяет использовать его для поверхностного монтажа (SMD). Максимальное напряжение между затвором и истоком составляет ±20 В.