Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2N7002ET1G, SOT23, 60 В, 0,22 А (набор 150 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2N7002ET1G — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе SOT23. Предназначен для поверхностного монтажа (SMD) и работы в электронных схемах с напряжением до 60 В.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Напряжение «сток-исток»: 60 В
• Ток стока: 0,22 А (постоянный), 1,2 А (импульсный)
• Рассеиваемая мощность: 0,42 Вт
• Количество в наборе: 150 шт.

Технические параметры

Транзистор имеет максимальное напряжение «сток-исток» 60 В и постоянный ток стока 0,22 А. В импульсном режиме ток может достигать 1,2 А. Рассеиваемая мощность составляет 0,42 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в стандартном корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD). Напряжение «затвор-исток» ограничено ±20 В, а сопротивление в открытом состоянии равно 1,2 Ом.

Комплектация

Товар поставляется набором из 150 штук.