
Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2N7000TA, 60 В, 110 мА, TO92 (набор 40 шт.)
1 860 ₴
- В наличии
- Код: TM070444
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2N7000TA — это униполярный компонент с каналом обогащения. Комплект состоит из 40 единиц в корпусе TO92 для монтажа в отверстия.
- Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 В
- Максимально допустимый ток стока: 0,11 А
- Максимальная мощность рассеивания: 0,4 Вт
- Корпус: TO92, монтаж THT
- Количество в комплекте: 40 шт.
Электрические параметры
Максимальное напряжение сток-исток составляет 60 В. Максимально допустимый ток стока — 0,11 А, а максимальная мощность рассеивания — 0,4 Вт.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе TO92 с технологией монтажа THT (through-hole technology). Это означает установку транзистора в отверстия печатной платы.
Комплектация
В наборе поставляется 40 транзисторов модели 2N7000TA. Транзисторы изготовлены по технологии DMOS.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.4 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.11 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 5000 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | TO92 |
| Технология | DMOS |
Информация для заказа
- Цена: 1 860 ₴
