Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2N7000, 60 В, 0,2 А, TO92 (2N7000-ONS) — набор 50 шт.

1 980 ₴

  • В наличии
  • Код: TM070443
Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2N7000, 60 В, 0,2 А, TO92 (2N7000-ONS) — набор 50 шт.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2N7000, 60 В, 0,2 А, TO92 (2N7000-ONS) — набор 50 шт.В наличии
1 980 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2N7000 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Модель выполнена в корпусе TO92 для монтажа в отверстия (THT) и реализует технологию DMOS.

  • Тип: N-MOSFET, униполярный, с каналом обогащения
  • Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
  • Ток стока: 0,2 А (постоянный), 0,5 А (импульсный)
  • Рассеиваемая мощность: 0,4 Вт
  • Корпус: TO92, монтаж в отверстия (THT)
  • Набор: 50 шт.

Напряжение и ток

Транзистор работает с напряжением сток-исток до 60 В и постоянным током стока 0,2 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 0,5 А. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В, что определяет допустимые режимы управления каналом.

Мощность и сопротивление

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 0,4 Вт. Сопротивление в состоянии проводности равно 9 Ом, что характеризует потери при открытом канале.

Комплектация

Товар поставляется набором из 50 транзисторов.

Характеристики
Основные
ПроизводительON Semiconductor
Максимальная мощность рассеивания0.4 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток20 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток60 В
Максимально допустимый ток стока0.2 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)9000 mOm
Тип монтажаВставной
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте50 шт.
КорпусTO92
ТехнологияDMOS
Информация для заказа
  • Цена: 1 980 ₴