
Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2N7000-D75Z, 60 В, 200 мА, TO92 (набор 40 шт.)
2 080 ₴
- В наличии
- Код: TM034680
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2N7000-D75Z — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения. Комплект состоит из 40 элементов в корпусе TO92.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
- Ток стока: 200 мА (постоянный), 0,5 А (импульсный)
- Рассеиваемая мощность: 0,4 Вт
- Корпус: TO92, монтаж THT
- Количество в наборе: 40 шт.
Технические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 60 В и постоянный ток стока 200 мА. В импульсном режиме ток может достигать 0,5 А, а максимальная рассеиваемая мощность составляет 0,4 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 9 Ом.
Технология изготовления
Транзисторы изготовлены по технологии DMOS. Корпус TO92 и выводной монтаж (THT) определяют способ физического размещения компонента на плате.
Комплектация
В упаковке содержится 40 транзисторов ONSEMI 2N7000-D75Z.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.4 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.2 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 9000 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | TO92 |
| Технология | DMOS |
Информация для заказа
- Цена: 2 080 ₴
