Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2N7000, 60 В, 0,2 А, TO92 (набор 40 шт.)
2 050 ₴
- В наличии
- Код: TM070441
Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2N7000, 60 В, 0,2 А, TO92 (набор 40 шт.)В наличии
2 050 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2N7000 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения.## Комплектация
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
- Ток стока: 0,2 А (постоянный), 0,5 А (импульсный)
- Корпус: TO92, монтаж THT
- Комплектация: 40 штук в наборе
- Рассеиваемая мощность: 0,4 Вт
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 60 В и постоянный ток стока 0,2 А. В импульсном режиме допустимый ток составляет 0,5 А. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В, а сопротивление в открытом состоянии — 9 Ом.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе TO92. Монтаж выполняется в отверстия (THT). Технология изготовления — DMOS.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.4 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.2 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 9000 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | TO92 |
| Технология | DMOS |
Информация для заказа
- Цена: 2 050 ₴