Транзистор N-MOSFET LUGUANG ELECTRONIC 10N65, 650 В, 10 А, TO220F (10N65-LGE) — набор 30 шт.

Транзистор N-MOSFET LUGUANG ELECTRONIC 10N65 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 650 В и ток 10 А. Товар поставляется комплектом из 30 штук в корпусе TO220F для монтажа на плату (THT).

• Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 650 В
• Постоянный ток стока: 10 А
• Мощность рассеивания: 27,5 Вт
• Корпус: TO220F, монтаж THT
• Количество в комплекте: 30 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальное напряжение между стоком и истоком 650 В и постоянный ток стока 10 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 0,63 Ом. Мощность рассеивания ограничена 27,5 Вт, а напряжение на затворе не должно превышать ±30 В.

Корпус и монтаж

Прибор выполнен в корпусе TO220F. Тип монтажа THT (сквозь отверстия) позволяет использовать компонент в классических схемах с выводами, проходящими сквозь отверстия платы.

Комплектация

Упаковка содержит 30 транзисторов LUGUANG ELECTRONIC 10N65.